IDT推出為6G SAS/SATA優(yōu)化的業(yè)界首款高性能中繼器/安森美半導(dǎo)體推出符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的自保護低端MOSFET驅(qū)動IC

作 者：   作者單位：   刊 名： 電子與電腦  英文刊名： COMPOTECH CHINA  年，卷(期)： 2010 ""(1)  分類號：   關(guān)鍵詞：  

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