生長溫度對等離子體增強化學氣相沉積生長ZnO薄膜質(zhì)量的影響

以Zn(C2H5)2和CO2為反應(yīng)源,在低溫下用等離子體增強化學氣相沉積方法,在Si襯底上外延生長了高質(zhì)量的ZnO薄膜.用X射線衍射譜和光致發(fā)光譜研究了襯底溫度對ZnO薄膜質(zhì)量的影響.X射線衍射結(jié)果表明,在生長溫度為230℃時制備出了高質(zhì)量(0002)擇優(yōu)取向的ZnO薄膜,其半高寬為0.26°.光致發(fā)光譜顯示出強的紫外自由激子發(fā)射與微弱的與氧空位相關(guān)的深缺陷發(fā)光,表明獲得了接近化學配比的ZnO薄膜.

作 者： 支壯志 李炳生 劉益春 呂有明 申德振 張吉英 孔祥貴 范希武   作者單位： 支壯志(東北師范大學物理系,長春,130024)

李炳生,劉益春,呂有明,申德振,張吉英,孔祥貴,范希武(中國科學院激發(fā)態(tài)物理開放實驗室,中國科學院長春光學精密機械與物理研究所,長春,130021) 

刊 名： 真空科學與技術(shù)學報  ISTIC EI PKU 英文刊名： VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2002 22(1)  分類號： O484.4 O441.6  關(guān)鍵詞： ZnO薄膜   等離子增強化學氣相沉積   二乙基鋅  

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