低能束作用下襯底上超薄膜背散射電子發(fā)射

應用Monte Carlo方法模擬千電子伏低能束作用下,不同襯底上不同薄膜背散射電子發(fā)射. 應用Mott散射截面和Joy方法修正的Bethe方程描述和計算低能電子在固體中彈性和非彈性散射,引入邊界方程,修正穿越薄膜與襯底界面的電子散射路徑. 計算分析了薄膜背散射系數(shù)η隨薄膜厚度D 的變化和規(guī)律,以及不同情況下η-D 線性區(qū)范圍的分布及其定量結果 D max. 計算了背散射電子角分布和空間密度分布.

作 者： 譚震宇 夏曰源   作者單位： 譚震宇(山東大學電氣工程學院,濟南,250061)

夏曰源(山東大學物理與微電子學院,濟南,250100) 

刊 名： 物理學報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2002 51(7)  分類號： O4  關鍵詞： 背散射電子   Monte Carlo方法,超薄膜  

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