具有InAlAs浸潤層的InGaAs量子點的制備和特性研究

采用自組裝方法生長了一種新型的InGaAs量子點/InAlAs浸潤層結構.通過選取合適的In組分,使InAlAs浸潤層的能級與GaAs勢壘相當,從而使浸潤層的量子阱特征消失.通過低溫光致發(fā)光(PL)譜的測試分析得到InGaAs量子點/InAlAs浸潤層在樣品中的確切位置.變溫PL譜的研究顯示,具有這種結構的量子點發(fā)光峰的半高全寬隨溫度上升出現(xiàn)展寬,這明顯區(qū)別于普通InGaAs量子點半高全寬變窄的行為.這是因為采用了InAlAs浸潤層后,不僅增強了對InGaAs量子點的限制作用,同時切斷了載流子的轉移通道,使得量子點更加孤立后表現(xiàn)出來的性質.

作 者： 朱天偉 張元常 徐波 劉峰奇 王占國   作者單位： 中國科學院半導體研究所半導體材料科學開放實驗室,北京,100083  刊 名： 物理學報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2003 52(8)  分類號： O4  關鍵詞： InGaAs量子點   InAlAs浸潤層   PL譜  

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